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真空半导体:三星预计将于下周宣布量产3纳米芯片!
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2022-06-23  阅读

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  【康沃真空网】据韩联社6月22日消息,三星电子预计将在下周宣布大规模生产3纳米芯片,下一代3纳米芯片将建立在Gate-All-Around(GAA)技术之上。三星称,与现有的FinFET工艺相比,该技术将使芯片面积减少45%,同时性能提高30%,功耗降低50%。